N最外层电子数是5更靠近8所以加上三个电子，就是负三价
采用同掺杂工艺通扩散作用P型半导体与N型半导体制作同块半导体（通硅或锗）基片交界面形空间电荷区称PN结
P型半导体（P指positive带电）：由单晶硅通特殊工艺掺入少量三价元素组半导体内部形带电空穴；
N型半导体（N指negative带负电）：由单晶硅通特殊工艺掺入少量五价元素组半导体内部形带负电自由电
PN结外加电压 P型边接极 N型边接负极电流便P型边流向N型边空穴电都向界面运使空间电荷区变窄电流顺利通N型边接外加电压极P型边接负极则空穴电都向远离界面向运使空间电荷区变宽电流能流PN结单向导电性
PN结加反向电压 空间电荷区变宽 区电场增强反向电压增定程度反向电流突增外电路能限制电流则电流PN结烧毁反向电流突增电压称击穿电压
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